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1.
选取超前爱丁顿坐标，采用统计的方法，计算出动态黑洞的瞬时辐出度．结果表明，动态黑洞的瞬时辐出度不仅与假定黑洞处于热力学平衡时的辐出度有关，还与黑洞的事件视界速度、事件视界温度、事件视界附近的熵密度及黑洞的吸收和辐射系数有关．对于球对称动态黑洞，任一时刻黑洞的瞬时辐出度总是正比于黑洞事件视界温度的四次方． 相似文献
2.
YSZ薄膜的阻抗谱测量及其电学性能的研究 总被引：2，自引：0，他引：2
章天金 《湖北大学学报(自然科学版)》1999,21(2):134-137
应用４１９２Ａ低频阻抗分析仪测量了不同温度下的ＹＳＺ薄膜的阻抗谱,利用Ｂａｕｅｒｌｅ等效电路模型研究了ＹＳＺ薄膜的电导率随温度的变化规律,探讨了掺杂氧化物（Ｙ２Ｏ３）对ＹＳＺ薄膜电导率的影响,其结果表明：ＹＳＺ薄膜的阻抗谱是一个完整的半圆,圆心稍低于实轴,在５００℃时,ＹＳＺ薄膜的电导率为０．０１４Ω＾－１ｃｍ＾－１,且随着测试温度的升高,ＹＳＺ薄膜的电导率增大,稳定剂浓度对ＹＳＺ薄膜的电导率有显 相似文献
3.
快速模拟退火算法用于MESFET大信号建模 总被引：5，自引：0，他引：5
对快速模拟退火算法的关键参数进行确定,将该算法应用于微波半导体大信号建模,解决了多变量非线性优化难题,实验结果表明该方法是有效的。从而为解决ＭＥＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＳｅｍ ｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ ＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）大信号建模问题提供了一种新思路。 相似文献
4.
在按样定制的半导体微观结构中,通过把异质结精确地植入晶体内即可定域地确定所期望的势能差。分子束外延技术用于以一个原子接一个原子的构建晶体薄膜,从而可以在微观惊工内精确地“裁剪”人工层状晶体。在ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ超晶格中各组分的周期性调制产生了新颖的电子性质,它开辟了崭新的技术用途。 相似文献
5.
在广义梯度近似下(GGA)采用第一性原理平面波赝势方法,对Cr掺杂的闪锌矿稀磁半导体(DMS)B1-xCrxN(x=0.062 5,0.125)的电子结构和磁性进行了研究.结果表明掺入磁性过渡金属Cr后的BN明显呈现出显著的半金属特征,Cr原子在较小的掺杂浓度下构成了中间带隙的深层能级,使得原胞中Cr原子的局域磁矩约3μB,并且不随杂质浓度变化而改变.在B1-xCrxN(x=0.125)体系多种替位构形中,N220型的Cr-Cr铁磁耦合态最稳定,其铁磁性主要是由双交换机制引起,这对在半导体工业中实现自旋载流子注入具有一定的理论价值. 相似文献
6.
提出一种快速估测大面积磁性薄膜磁畴结构的方法──傅里叶光谱分析法．利用偏振光透射半透明磁性薄膜产生的法拉第旋转效应,让穿过磁性薄膜后具有不同偏振面的光再经过检偏器,调整检偏器的晶轴方向使之与某一部分光的偏振面垂直,于是一部分偏振光消光,而另一部能够通过,在足够远处便得到了代表磁性薄膜畴结构的衍射光谱,这种方法可用于磁性薄膜畴参数估计及磁性薄膜畴壁动态特性研究． 相似文献
7.
用反应磁控溅射方法制备了ＴｉＡｌＮ薄膜,结构分析表明,当Ｔｉ的含量小于０．２５时,ＴｉＡｌＮ薄膜是Ａｌ基氮化物的闪锌矿结构,但晶格常数随Ｔｉ原子含量的增加而增大．Ｘ射线光电子能谱分析表明,ＴｉＡｌＮ薄膜有与ＡｌＮ和ＴｉＮ不同的电子结构特征． 相似文献
8.
SOA在OCDMA网络中的应用 总被引：1，自引：0，他引：1
综述了半导体光放大器(SOA)在光码分多址(OCDMA)系统中消除多址接入干扰(MAI)噪声、控制全光分组数据路由的两类应用,阐述了这些方案的原理和特点,并展望了未来SOA在OCDMA网络中的应用. 相似文献
9.
ＣＮＸ薄膜是一种新型的超硬膜。我们用等离子增强化学气相淀积法，制备了含氮量的２１ａｔ％的ＣＮＸ膜，并用俄歇电子探针，红外谱仪和拉曼光谱仪及Ｘ光衍射仪对其结构进行了研究。结果表明膜听屡元素主要以Ｃ≡Ｎ，Ｃ＝Ｂ，Ｃ－Ｎ键的形成与碳结合。 相似文献
10.
在Ar和O2气氛下采用直流反应溅射沉积了MoO3薄膜,样品制备过程中改变薄膜沉积气压,保持其它参数不变,研究了沉积气压对其电致变色性能的影响.利用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、傅里叶红外透射光谱(FTIR)对薄膜的结构进行了表征.采用分光光度计研究了MoO3薄膜的电致变色性能,通过电致变色动态测试对样品... 相似文献
