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1.
阐述了分形概念及其在非晶硅薄膜微结构分析中的应用.利用透射电子显微镜(TEM)观测,在不同退火温度下,采用不同于常规的原位动态观测技术,获得a-Si:H薄膜中微结构形貌像.通过两种方法计算了分形结构的分维.结果表明,分形结构与a-Si:H薄膜的性质密切相关.对a-Si:H薄膜中的分形结构与晶化之间的关系进行了讨论。  相似文献   
2.
采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sn掺杂In3O2(In3O2:Sn)半导体薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试表征,研究了生长速率对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:所制备的薄膜均具为(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其结构参数和光电性能明显受到生长速率的影响.当生长速率为4 nm/min时,In3O2:Sn薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最高的可见光区平均透过率(86.4%)和最大的优值因子(7.9×104Ω-1·m-1),其光电性能最好.同时采用Tauc公式计算了样品的光学带隙,结果表明:光学带隙随着生长速率的增大而单调减小.  相似文献   
3.
以对氢气易于反应的钯为催化材料、钯的沉积厚度和热处理条件为变量,研究三氧化钨薄膜的物理化学性能及气体反应特性。结果表明,三氧化钨在500℃以上时呈现四方晶体的多晶态,钯沉积对三氧化钨的晶体结构没有影响,但是随着钯的添加抑制了三氧化钨的晶粒生长。500℃以上热处理时钯在薄膜表面呈现小球状,600℃以上热处理时钯粒子在薄膜表面凝结或扩散到材料内部。沉积钯2nm的薄膜在工作温度250℃时反应灵敏度和恢复特性对氢气的检测特性最好。  相似文献   
4.
应用核反应分析法(NRA)测量了反应溅射法制备的a-SiH(B)薄膜中B和H的含量.结果表明:当掺杂比率Yg(=[B2H2]/([Ar]+[H2]))由10-6增大到1.4×10-2时,样品中的硼含量cB由1.0×1018线性增大到1.4×1022atcm-3;而氢含量的变化分为三个区域:在微掺硼情况(Yg=10-6),样品中氢含量较未掺硼时高出10%;当Yg=10-6到10-3变化时,H含量cH由28%线性减少到17%;在Yg=10-3时,H含量达极小值,此后,Yg增大,H含量随之增大.  相似文献   
5.
本文通过测量掺杂a-Si:H和a-Sic:H薄膜的电导率随退火温度和退火时间变化研究了温度对掺杂效率的影响以及杂质激活的微观过程。结果表明,(1)杂质激活过程是伸展指数形式,(2)在低温区掺杂效率正比于,(3)在高温区掺杂效率达到一饱和值。通过一个与氢运动有关的杂质激活模型,我们解释了上述实验结果。  相似文献   
6.
报道了用于光寻址快速空间光调制器光敏层的氢化非晶硅pin光敏二极管的设计、制备及光电特性的研究,制得了符合光敏层要求的pin二极管。  相似文献   
7.
研究用热分解法镀半导体薄膜,以紫外灯为光源,进行半导体薄膜光催化降解苯酚废水。实验结果表明:用CuO作为催化剂,并且在苯酚溶液中加入双氧水可以使苯酚转化率达到66.6%。半导体薄膜可重复使用,且利用太阳光降解苯酚废水具有很好的应用前景。就实验结果进行了理论分析和探讨。  相似文献   
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