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1.
掺杂SnO2薄膜作为电热材料的研究——成膜工艺条件探讨   总被引:2,自引:0,他引:2  
以石英管作为衬底材料以SnCl4,SbCl3的混合乙醇溶液作为喷涂液,在600-620℃高温下用化学热喷涂法在石英管表面制作SnO2电热膜,工艺实践表明:30min是最佳喷涂时间,可获得最高功率密度25W/cm^2,喷涂时间过短,SnO2膜过薄而功率小,喷涂时间大于30min,由于“硅扩散”破坏SnO2的能级简并结构,不仅导电性劣化,而且电阻率温度系数逐渐由正变负,导致不能用作电热材料。  相似文献   
2.
等离子体增强CVD氧化硅和氮化硅   总被引:3,自引:0,他引:3  
利用红外吸收谱等微观分析对氧化硅和氮化硅薄膜的成分和结构进行了研究。采用高频C-V测试和准静态离子电流法测量了氧化硅、氮化硅及其复合膜的界面特性,结果表明PECVDSiO2-SiN双层结构的复合膜对半导体器件表面有良好的钝化效果。  相似文献   
3.
稀土掺杂TiO2薄膜的制备及光催化特性   总被引:20,自引:0,他引:20  
用Sol-gel法制备出一系列镧系离子掺杂的TiO2薄膜,经X射线衍射(XRD)、紫外可见(UV-Vis)吸收光谱表征该TiO2薄膜,并研究了其光催化活性. XRD研究结果表明:镧系离子掺杂TiO2薄膜的XRD与未掺杂薄膜的XRD基本一致. 在控制实验条件下,主要为锐钛矿型晶型. UV-Vis吸收光谱表明:当λ>360 nm时其吸光值低于0.4,并测得薄膜的厚度.光催化降解罗丹明B的实验表明,掺杂稀土离子的TiO2薄膜的光降解效率高于未掺杂的TiO2薄膜. 当n(La)=0.5%,n(Eu)=0.7% ,n(Er)=0.8% (n为摩尔比)时的降解效率达到最大. 而不同镧系离子在最佳掺杂量时的光降解效果为:La3+>Eu3+>Er3+.  相似文献   
4.
MBE growth of ZnSx Se1-x thin films on ITO coated glass substrates were carried out using ZnS and Se Sources with the substrate temperature ranging from 270℃ to 330℃.The XRD θ/2θ spectra resulted from these films indicated that the as-grown polycrystalline ZnSx Se1-x thin films had a preferred orientation along the (111) planes.The evaluated crystal sizes as deduced from the FWHM of the XRD layer peaks showed strong growth temperature dependence,with the optimized temperature being about 290℃.Both AFM and TEM measurements of these thin films also indicated a similar growth temperature dependence.Hing qual-ity ZnSx Se1-x thin film growm at the optimized temperature had the smoothest surface with lowest RMS valus of 1.2 nm and TEM cross-sectional micrograph showing a well defined columnar structure.  相似文献   
5.
采用红外吸收光谱分析了SIPOS薄膜中Si-O键的结构,对比了热退火、快速灯光退火对SIPO中Si-O键结构的影响,并结合SIPO/Si结构的C-V,I-V测试结果,对其界面特性进行了分析。  相似文献   
6.
7.
8.
9.
采用磁控溅射方法在玻璃基底上制备了Sn掺杂In3O2(In3O2:Sn)半导体薄膜,通过XRD、XPS、四探针仪和分光光度计等测试表征,研究了生长速率对薄膜结构和光电性能的影响.结果表明:所制备的薄膜均具为(222)择优取向的立方锰铁矿结构,其结构参数和光电性能明显受到生长速率的影响.当生长速率为4 nm/min时,In3O2:Sn薄膜具有最大的晶粒尺寸(32.5 nm)、最高的可见光区平均透过率(86.4%)和最大的优值因子(7.9×104Ω-1·m-1),其光电性能最好.同时采用Tauc公式计算了样品的光学带隙,结果表明:光学带隙随着生长速率的增大而单调减小.  相似文献   
10.
以钛掺杂氧化锌镓(GZO) 陶瓷靶作为溅射源材料,采用射频磁控溅射技术在玻璃基片上制备了掺钛GZO(GZO:Ti) 透明半导体薄膜,利用光谱拟合方法计算了GZO:Ti 薄膜的折射度、消光系数和厚度等光学参数,研究了氩气压强对GZO:Ti 薄膜光学性质的影响. 结果表明:拟合光谱曲线与实验测量光谱曲线一致,薄膜的光学性质与氩气压强密切相关,GZO:Ti 薄膜折射率随波长增大而逐渐减小,表现出正常的色散性质.另外还采用包络法计算了GZO:Ti 薄膜的折射率和厚度,两种方法所获得的结果是基本相符的.  相似文献   
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